用于形成半导体器件栅极的方法.pdf

第一和第二虚拟结构(201和202)被形成在一个半导体器件的衬底(10)上。在一个实施方式中,第一虚拟结构(201)的部分被去除,并且被用一第一导电材料(64)来取代,以形成一第一栅极(71),并且第二虚拟结构(202)的部分被去除,并且被用一第二导电材料(84)来取代,以形成一第二栅极(91)。在一个替代的实施方式中,虚拟结构(201和202)被使用一用于形成第一栅极(71)的第一导电材料(164)形成。然后,通过从虚拟结构(202)中去除第一导电材料(164),并且用一第二导电材料(84)来取代它,以形成第二电极。根据本发明的实施方式,第一导电材料和第二导电材料是不同的导电材料。