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锤子
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在一半导体集成电路中,在具有绝缘表面的同一基片上形成多个薄膜晶体管(TFT)。由于形成在TFT中的栅极相互电绝缘,所以阳极氧化期间在电解液中独立地向栅极施加电压,至少在每个栅极的两侧形成阳极氧化层。根据TFT的特性改变阳极氧化厚度。利用具有所期望厚度的阳极氧化层作为掩模,通过离子掺杂改变在每个TFT的有源层中形成的高阻区宽度。
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