半导体器件的制造方法.pdf

  1. 类别:专利
  2. 上传人:wuyuzegang
  3. 上传时间:2023/4/18 11:00:19
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简介:

为可获得具有高结晶度的结晶硅膜,一开始便在玻璃衬底上形成的非晶硅膜上形成优异的氧化膜13。滴加有浓度为10至200ppm(需要调节)的催化剂元素。如镍之类的元素的乙酸盐水溶液。将该状态保持预定时间,然后用旋涂机甩干。在550℃下经4小时使膜晶化。然后,用氟酸处理,除去局部镍化合物。而且,用激光辐照,获得结晶硅膜。在550℃下热处理4小时,获得具有低金属元素浓度和小缺陷密度的结晶硅膜。

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