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锤子
消耗积分 : 50积分 移动终端:免积分
本发明提供半导体元件的阻挡层的形成方法和装置。根据本发明,在半导体衬底上的层间绝缘膜上形成接触孔,在接触孔及其外侧的层间绝缘膜上淀积Ti层后,在同一装置内用微波对氮气进行处理而形成氮基,通过使氮基与Ti层反应来形成高纯度的TiN层。因此,本发明完全不使用MOCVD工序,所以可以解决因使用MOCVD工序造成的TiN层的存在问题。
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