发光半导体元件及其制造方法.pdf

  1. 类别:专利
  2. 上传人:wuyuzegang
  3. 上传时间:2023/4/18 19:46:22
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简介:

本发明涉及一种GaN基的发光半导体元件,它的半导体本体由一个若干不同的GaN半导体层(1)的层叠构成。该半导体本体具有一个第一主面(3)和一个第二主面(4),其中产生的辐射通过第一主面(3)输出,并在第二主面(4)上构成一个反射器(6)。此外,本发明涉及一种发明半导体元件的制造方法,其中首先在一个衬底(8)上设置一层夹层(9),并在该夹层上设备若干GaN层(1),这些GaN层构成该元件的半导体本体。然后去掉衬底(8)和中间层(9),并在该半导体本体的一个主面上构成一个反射器(6)。

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