具有超浅超陡反向表面沟道的半导体器件的制备方法.pdf

本发明提供一种具有超浅超陡反向表面沟道的半导体器件的制造方法，该方法能够克服当使用具有难以得到足够大的离子束电流和延长工艺时间这些缺点的超低能量离子注入技术时可用能量的限制，并且能够提高生产率。本发明包括一种具有超浅超陡反向(后面称为SSR)表面沟道的半导体器件的制造方法，该方法包括下述步骤：通过注入癸硼烷在半导体衬底的表面下形成沟道掺杂层；在沟道掺杂层上形成表面层；在表面层上相继形成栅介电层和栅极；通过排列在栅极边缘上而形成比沟道掺杂层浅的源/漏延伸区；在栅极的侧面上形成衬垫；和通过利用在衬底上进行离子注入排列在衬垫边缘上而形成比沟道掺杂层深的源/漏区。