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锤子
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本发明公开一种形成半导体器件的位线的方法。在用于形成一半导体器件的动态随机存取存储器中的位线的线图案化工艺中,通过化学气相沉积方法,在包含接触孔的层间绝缘膜中相继形成一阻挡金属层及一钨层,以填满该接触孔。接着,去除该阻挡金属层及该钨层直到暴露出该层间绝缘膜,并且通过物理气相沉积方法,在该暴露的层间绝缘膜上重新形成一薄厚度的钨层。结果,使位线区的缩小量如同从该层间绝缘膜的上部去除的该阻挡金属层的量,从而具有低位线电容。
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