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锤子
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本发明涉及一种制造半导体器件的方法,包括以下步骤:在一个衬底上形成第一半导体岛区和第二半导体岛区;在第一和第二半导体岛区上形成栅绝缘膜;在第一半导体岛区之上形成第一和第二栅电极,在第二半导体岛区之上形成第三栅电极,所述第一、第二和第三栅电极都包括第一导电膜和第二导电膜;使用上述第一、第二以及第三栅电极作为掩膜,向上述第一和第二半导体岛区掺入第一杂质元素;使用分别覆盖上述第一和第二栅电极的第一和第二光刻胶掩膜和上述第三栅电极作为掩膜,向上述第一和第二半导体岛区掺入第二杂质元素;和在上述第一和第二栅电极以及第三栅电极上形成一个绝缘膜。
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