减少在半导体装置制造过程中图案变形及光阻膜毒化的方法.pdf

一硬质屏蔽叠包括交替的掺杂非晶形碳层(22)和无掺杂非晶形碳层(20)。无掺杂非晶形碳层(20)系作为抑止掺杂非晶形碳层(22)中压缩应力影响用的缓冲层以防止剥离。该堆栈具有一上封盖物质层(12)。在封盖物质层(12)之下最好系无掺杂非晶形碳层以减少光阻膜毒化。一替代的硬质屏蔽叠包含交替的封盖物质层(42)和非晶形碳层(40)。该非晶形碳层(40)可以有掺杂物或没有。封盖物质层(42)系作为抑止非晶形碳层(40)中压缩应力影响用的缓冲层以防止剥离。该堆栈的上层系由封盖物质层(42)所组成。在封盖物质层的下层最好系无掺杂非晶形碳层(40)以减少光阻膜毒化。该堆栈最下层最好系非晶形碳层(40)以方便利用灰化移除法(ashing process)自下层物质(8)移除该硬质屏蔽叠。