半导体集成电路及其制造工艺.pdf

一种半导体集成电路器件包括：n沟道MOS晶体管，形成在硅衬底的第一器件区上；及p沟道MOS晶体管，形成在硅衬底的第二器件区上，其中n沟道MOS晶体管包括第一栅电极，该第一栅电极承载形成在其各个侧壁表面上的一对第一侧壁绝缘膜，p沟道MOS晶体管包括第二栅电极，该第二栅电极承载形成在其各个侧壁表面上的一对第二侧壁绝缘膜；第一和第二SiGe混合晶体区，外延形成在第二器件区中，以使其填充形成在第二侧壁绝缘膜各个外侧处的第一和第二沟槽，从而被包含在p沟道MOS晶体管的源极扩散区和漏极扩散区中，在第一器件区中n型源极扩散区和漏极扩散区之间的距离大于在第二器件区中p型源极扩散区和漏极扩散区之间的距离。