您还有0次抽奖机会
锤子
消耗积分 : 50积分 移动终端:免积分
本发明涉及半导体器件的一种制造方法,其特征在于,它包括下列步骤:在具有绝缘表面的衬底上形成一层晶体半导体膜;在所述晶体半导体膜上通过利用四乙氧基硅烷形成包括二氧化硅的栅绝缘膜;形成邻近所述晶体半导体膜的栅电极,其中所述栅绝缘膜插入在所述晶体半导体膜和所述栅电极之间,所述栅电极包括从由钽、钛、钨、钼和硅组成的组中选取的一种材料;以及通过所述栅绝缘膜向所述晶体半导体膜中引入杂质元素,从而在所述晶体半导体膜中形成至少一个杂质区。
打开失败或需在电脑查看,请在电脑上的资料中心栏目,点击"我的下载"。建议使用手机自带浏览器。