控制光刻工艺的装置和方法.pdf

本发明提供一种控制光刻工艺的方法，其包含于选择的晶片上形成第一层。测量与该第一层相关的第一覆盖误差。在形成于第一晶片上的第二层上执行的光刻工艺的操作准则中，至少有一项参数系由至少该第一覆盖误差测量值所决定。工艺路线(100)包含光刻机台(120)、覆盖度量机台(130)及控制器(140)。该光刻机台(120)被建构成可依据操作准则加工晶片。该覆盖度量机台(130)被建构成可测量在该光刻机台(120)中进行晶片加工时的覆盖误差。该控制器(140)被建构成可接收于选定晶片上形成第一层时的第一覆盖误差测量值，并可依据至少该第一覆盖误差测量值，决定在形成于第一晶片上的第二层上所执行的光刻工艺的操作准则中的至少一个参数。