半导体器件及其制造方法.pdf

  1. 类别:专利
  2. 上传人:wuyuzegang
  3. 上传时间:2023/4/19 17:20:05
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简介:

本发明的目的是,借助于制作结晶半导体膜,同时控制膜中的晶粒的位置和尺寸,将此结晶半导体膜用于TFT的沟道制作区,而提供能够高速运行的TFT。仅仅用常规的绝缘膜,而不用金属或热导高的绝缘膜,作为基底膜以引入温度梯度。在所需位置中提供基底绝缘膜的高程差,以便根据高程差的安排而在半导体膜中产生温度分布。利用此温度分布来控制横向生长的起点和方向。

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