用于极远紫外光刻的反射掩模和制作该反射掩模的方法.pdf

本发明公开了一种用于极远紫外(EUV)光刻的反射掩模和制作该反射掩模的方法，其中，该反射掩模包括：基板，以多层结构形成在基板上并包含反射EUV光线的材料的下反射层，以多层结构形成在下反射层上和反射EUV光线的上反射层，在下反射层和上反射层之间形成为预定图案的相位反转层，该相位反转层引起来自上反射层的反射光线与来自下反射层的反射光线之间的破坏性干涉。这减少了阴影效应的影响，并且可以消除不必要的EUV光线，使得在掩模上设计的图案能够精确地投影到硅晶片上。由于相位反转层具有与反射层和吸收层的材料完全一样的材料，掩模制作过程能够简易地处理。