半导体器件及其制造方法.pdf

  1. 类别:专利
  2. 上传人:wuyuzegang
  3. 上传时间:2023/4/19 20:41:26
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简介:

本发明的目的是高产率地制造半导体器件,在所述半导体器件内,在柔性基底上提供具有含有机化合物的层的元件。制造半导体器件的方法包括:在基底上形成分离层;通过在分离层上形成无机化合物层、第一导电层,和含有机化合物的层,并形成与含有机化合物的层和无机化合物层接触的第二导电层,从而产生形成元件的层;和在将第一柔性基底固定在第二导电层上之后,在分离层处将分离层与形成元件的层分离。

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