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锤子
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本发明的课题在于提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的形成光刻用下层膜的组合物,并提供一种下层膜,其具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度,并且不与光致抗蚀剂发生混合。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题,即,一种形成光刻用下层膜的组合物,其含有:在构成聚合物的单元结构中、具有摩尔比0.3以上的含有被卤原子取代的萘环的单元结构的聚合物,和溶剂。
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