半导体器件及其制作方法.pdf

  1. 类别:专利
  2. 上传人:wuyuzegang
  3. 上传时间:2023/4/21 15:09:45
  4. 文件大小:2485K
  5. 下载次数:0
  6. 消耗积分 : 50积分 移动终端:免积分

收藏

简介:

本发明的特征在于:在第1基板上按顺序形成金属膜、绝缘膜和非晶质半导体膜,对上述金属氧化物膜和上述非晶质半导体膜进行结晶化,在将已被结晶化的半导体膜用作有源区形成了第1半导体元件后,在上述第1半导体元件上使用粘接材料粘接支撑体,在上述金属膜与上述绝缘膜之间进行剥离,将第2基板粘接到上述已被剥离的绝缘膜上之后,除去上述第1粘接材料并剥离上述支撑体,在上述第1半导体元件上形成非晶质半导体膜,形成将该非晶质半导体膜用作有源区的第2半导体元件。 查看法律状态

打开失败或需在电脑查看,请在电脑上的资料中心栏目,点击"我的下载"。建议使用手机自带浏览器。

  • 注意:
  • 1、下载文件需消耗流量,最好在wifi的环境中下载,如果使用3G、4G下载,请注意文件大小
  • 2、下载的文件一般是pdf、word文件,下载后如不能直接浏览,可到应用商店中下载相应的阅读器APP。
  • 3、下载的文件如需解压缩,如果手机没有安装解压缩软件,可到应用商店中下载相应的解压缩APP。