半导体装置及其制造方法.pdf

  1. 类别:专利
  2. 上传人:wuyuzegang
  3. 上传时间:2023/4/21 15:56:06
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简介:

一种具有贯通电极的半导体装置及其制造方法,谋求半导体装置的可靠性及成品率的提高。介由第一绝缘膜(11)形成在半导体衬底(10)上的焊盘电极(12)上形成高熔点金属层(13)。其次,在含焊盘电极(12)及高熔点金属层(13)上的半导体衬底(10)的表面上形成钝化层14,进而介由树脂层(15)形成支承体(16)。其次,蚀刻半导体衬底(10),形成从半导体衬底(10)的背面到达焊盘电极(12)的通孔(17)。其次,介由第二绝缘膜(18)形成与在通孔17底部露出的焊盘电极(12)电连接的贯通电极(20)及配线层(21)。进而形成抗焊剂层(22)、导电端子(23)。最后,通过进行切割,将半导体衬底(10)切断分离成半导体芯片(10A)。

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