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本发明公开一种气体分布装置,包括反应气体供应板、至少一反应气体分布板以及反应气体传送面板,其中反应气体供应板与至少第一种和第二种反应气体相连通;反应气体分布板与反应气体供应板相连接,并使第一种和第二种反应气体中的至少一种在反应气体分布板中获得均匀地分布扩散;反应气体传送面板与反应气体分布板相连接;在第一种和第二种反应气体分别经过反应气体供应板、反应气体分布板和反应气体传送面板的过程中,第一种和第二种反应气体一直保持隔离,最后以均匀的分布方式逸出反应气体传送面板。本发明的气体分布装置可以有效改善沉积于半导体工艺件上的薄膜性能。本发明还公开了一种使用该气体分布装置的半导体工艺件处理反应器。
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