具有平行板沟槽电容器的半导体器件.pdf

  1. 类别:专利
  2. 上传人:wuyuzegang
  3. 上传时间:2023/4/21 19:21:57
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简介:

半导体器件(10)形成在半导体衬底(12)上,该半导体衬底的表面(24)形成有沟槽(18)。电容器(20)具有第一极板(22),该第一极板形成衬底表面上并具有第一和第二部分,该第一和第二部分分别为沟槽的第一和第二侧壁(25)加衬里。第二极板(35,38)形成在第一极板上并延伸至位于第一和第二部分的沟槽中。

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