用于次半波长光刻构图的改善的散射条OPC应用方法.pdf

  1. 类别:专利
  2. 上传人:wuyuzegang
  3. 上传时间:2023/4/21 19:31:47
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简介:

一种形成具有光学近似修正特征的掩模的方法,包括下述步骤:获得含有要被成像的特征的目标图案,展开所述要被成像的特征的宽度,修改所述掩模以包括辅助特征,所述辅助特征放置在邻近所述要被成像的特征的边缘,其中所述辅助特征具有对应于所述要被成像的特征的展开宽度的长度;和将要被成像的特征从所述展开宽度返回到相应于目标图案的宽度。

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