光刻处理方法,和由此制造的器件.pdf

  1. 类别:专利
  2. 上传人:wuyuzegang
  3. 上传时间:2023/4/21 19:42:43
  4. 文件大小:1631K
  5. 下载次数:0
  6. 消耗积分 : 50积分 移动终端:免积分

收藏

简介:

用于给器件层提供图案的光刻双曝光处理方法,包括以下步骤:在第一和第二次曝光步骤前,将第一掩模图案(31)和第二掩模图案(32)扩大预选扩张距离,抗蚀剂处理基底的已曝光辐射敏感层以提供相应于所述图案的抗蚀剂已处理特征,借此每个抗蚀剂已处理特征相应其标称尺寸扩大,和通过对所述抗蚀剂已处理特征应用补充抗蚀剂处理,以超过预选收缩的距离收缩所述抗蚀剂已处理特征。

打开失败或需在电脑查看,请在电脑上的资料中心栏目,点击"我的下载"。建议使用手机自带浏览器。

  • 注意:
  • 1、下载文件需消耗流量,最好在wifi的环境中下载,如果使用3G、4G下载,请注意文件大小
  • 2、下载的文件一般是pdf、word文件,下载后如不能直接浏览,可到应用商店中下载相应的阅读器APP。
  • 3、下载的文件如需解压缩,如果手机没有安装解压缩软件,可到应用商店中下载相应的解压缩APP。