具有不同晶格常数材料的半导体结构及其形成方法.pdf

一种半导体结构(10),其包括衬底,该衬底含有具有第一晶格常数的第一弛豫半导体材料。半导体器件层(34)覆盖该衬底,其中,该半导体器件层包括第二弛豫半导体材料(22),其具有不同于该第一晶格常数的第二晶格常数。此外,在该衬底与该半导体器件层间插入介电层,其中,该介电层插入在该衬底与该半导体器件层之间,其中,该介电层包括安置在该介电层中的循序过渡带,用于在该第一晶格常数与该第二晶格常数间过渡。该循序过渡带包括多个层,该多个层中的邻接层具有不同的晶格常数,邻接层中的一个具有超过形成缺陷所必需的第一临界厚度的第一厚度,邻接层的另一个具有未超过第二临界厚度的第二厚度。该多个层的每一邻接层形成界面,用于促使该过渡带中的缺陷迁移至并终止于该循序过渡带的边缘。还公开了一种制造该半导体结构的方法。