半导体器件的制作方法及其制作的半导体器件.pdf

一种制作半导体器件的方法包括下列步骤：提供其上形成有图形化互连层(120,520、1020、1620)的半导体衬底(110、510、1010、1610)；在图形化互连层上淀积第一介质材料(130、530、1030、1630)；在第一介质材料上淀积第一电极材料(140,540,1040,1640)；在第一电极材料上淀积第二介质材料(150、550、1050、1650)；在第二介质材料上淀积第二电极材料(160、560、1060、1660)；对第二电极材料进行图形化,以便形成第一电容器(210、710、1310、1615)的顶部电极(211、611、1111、1611)；以及对第一电极材料进行图形化,以便形成第二电容器(220、720、1320、1625)的顶部电极(221、721、1221、1621),形成第一电容器的电极(212、712、1212、1612),以及确定电阻器(230、730、1330)。