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本发明公开了一种层迭式双MOSFET封装。该集成电路封装包括:第一传导接片;一个高端MOSFET管芯,它跟第一传导接片的耦合使得该高端MOSFET管芯的漏极电耦合到第一传导接片;第二传导接片,它以复层关系电耦合到该高端MOSFET管芯的源极;一个低端MOSFET管芯,它跟第二传导接片的耦合使得该低端MOSFET管芯的漏极电耦合到第二传导接片;第一引线,耦合到该高端MOSFET管芯的栅极;至少一个第二引线,耦合到第一传导接片;至少一个第三引线,耦合到低端MOSFET管芯的源极;第四引线,耦合到低端MOSFET管芯的栅极;以及密封外壳,用来封装:第一传导接片的各部分、高端MOSFET管芯、第二传导接片的各部分、低端MOSFET管芯、和第一引线、至少一个第二引线、至少一个第三引线、和第四引线的各部分。
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