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锤子
氮化镓类化合物半导体装置.pdf
- 类别：专利
- 上传人：wuyuzegang
- 上传时间：2023/4/22 11:12:53
- 文件大小：767K
- 下载次数：0
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简介：
本发明涉及主要在不超过375nm的波长下发光的LED。LED由衬底(10)上的GaN层(16)、n-覆盖层(20)、AlInGaN缓冲层(22)、发光层(24)、p-覆盖层(26)、p电极(30)、n电极(32)构成。发光层(24)为对InGaN阱层和AlInGaN阻挡层进行层叠而成的多层量子阱结构(MQW)。通过量子阱结构扩大了InGaN阱层的有效带隙并使发光波长变短。此外,通过在发光层(24)的基底层采用AlInGaN缓冲层(22),从而有效地将电子注入到发光层(24),增大发光效率。
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