层叠的氧化物材料、半导体器件、以及用于制造该半导体器件的方法.pdf

  1. 类别:专利
  2. 上传人:wuyuzegang
  3. 上传时间:2023/4/23 9:32:30
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简介:

层叠的氧化物材料、半导体器件、以及用于制造该半导体器件的方法。一个实施例是用于制造层叠的氧化物材料的方法,包括步骤:在基底组件上形成氧化物组分;通过热处理形成从氧化物组分表面向内生长的第一氧化物结晶组分,并在基底组件表面正上方留有非晶组分;以及在该第一氧化物结晶组分上层叠第二氧化物结晶组分。特定地,第一氧化物结晶组分和第二氧化物结晶组分具有共同的c-轴。在共晶生长或异晶生长的情况下导致同轴(轴向)生长。

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