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本发明涉及高压金属氧化物半导体器件及其形成方法。在一般方面,高压金属氧化物半导体(HVMOS)器件可包括设置在所述HVMOS器件的沟道区上的第一栅极电介质层和设置在所述HVMOS器件的漂移区的至少一部分上的第二栅极电介质层。所述漂移区可邻近所述沟道区横向设置。所述第二栅极电介质层的厚度可大于所述第一栅极电介质层的厚度。
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