量测方法和设备、光刻系统和器件制造方法.pdf

一种测量光刻过程的参数的方法及相关的检查设备被公开。所述方法包括：使用多个不同的照射条件来测量衬底上至少两个目标结构,所述目标结构具有有意的重叠偏置；对于每个目标结构获得表示总体不对称度的不对称度测量,所述总体不对称度包括由于(i)有意的重叠偏置、(ii)在形成目标结构期间的重叠误差和(iii)任何特征不对称度所造成的贡献。通过将线性回归模型拟合成用于一个目标结构的不对称度测量对用于另一目标结构的不对称度测量的平面表示来执行对于不对称度测量数据的回归分析,所述线性回归模型不一定被拟合成通过该平面表示的原点。然后可以根据由所述线性回归模型所描述的梯度来确定重叠误差。