光刻对准标记结构及形成方法、半导体结构的形成方法.pdf

一种光刻对准标记结构及形成方法、半导体结构的形成方法,其中光刻对准标记结构的形成方法包括：提供基底；在基底中形成分别沿第一方向的第一光栅、具有相同光栅常数的第二、三光栅,和沿第二方向的第四光栅；使用光栅衍射技术,根据第一光栅获得第一对准中心,根据第四光栅获得第二对准中心；以第一、二对准中心作为光刻过程的对准中心,在基底上形成相对于第二光栅沿第一方向偏移第一距离的第五光栅；和形成相对于第三光栅沿第一方向的反方向偏移第一距离的第六光栅。使用本光刻对准标记结构的双重二次曝光工艺中,第二次曝光后的器件图形,其实际位置与预设位置的对准误差得到弥补,且相对于第一次曝光后的器件图形套准偏移量减小。