光刻胶去除方法及半导体器件制作方法.pdf

本发明提供一种光刻胶去除方法及半导体器件制作方法,先在低温环境下对待去除的光刻胶层进行湿法浸泡清洗,从而可以软化并去除该光刻胶层表层的大部分硬壳,同时可以降低整个光刻胶层去除的成本；然后再对清洗后的半导体衬底进行紫外光照射烘干并维持低温,从而改变剩余硬壳的性质,并避免光刻胶内易挥发溶剂散发导致光刻胶聚合物杂质的产生,使其容易通过后续的灰化处理工艺去除,同时对湿法清洗后的半导体衬底进行了烘干,从而为后续灰化处理工艺提供良好的反应环境；最后通过灰化处理工艺快速、高效的完成整个去胶过程,能够解决光刻胶残留问题,避免光刻胶残留物造成的器件缺陷,提高制造的半导体器件的稳定性和良率。