半导体功率器件的终端结构及其制造方法.pdf

本发明公开了一种半导体功率器件的终端结构,包括：多个P型场限环；介质隔离条将P型场限环之间的N型半导体材料表面完全覆盖；SIPOS层覆盖在各P型场限环的表面上并延伸到介质隔离条表面上；在SIPOS层表面覆盖有介质保护层。SIPOS层和P型场限环直接接触,SIPOS层和N型半导体材料间隔有所述介质隔离条,本发明通过介质隔离条来减少SIPOS层和底部半导体材料接触的面积从而减少漏电,通过SIPOS层和P型场限环直接接触来提高耐压一致性。本发明还公开了一种半导体功率器件的终端结构的制造方法。本发明能降低终端漏电,提高器件耐压以及耐压一致性,工艺简单。