半导体测试结构和包含其的晶圆.pdf

本申请公开了一种半导体测试结构和包含其的晶圆,该测试结构包括：有源区,其包括沿顺时针方向依次形成的第一有源区、第二有源区、第三有源区和第四有源区,连接第一有源区和第二有源区第一沟道区,连接第二有源区和第三有源区的第二沟道区,连接第三有源区和第四有源区的第三沟道区,以及连接第四有源区和第一有源区的第四沟道区；栅极,其包括形成于第一有源区和第二有源区之间的第一栅极,形成于第二有源区和第三有源区之间的第二栅极,形成于第三有源区和第四有源区之间的第三栅极,形成于第四有源区和第一有源区之间的第四栅极。本申请能够更加全面地考虑到各种参数与栅极端帽长度的关系对漏电流的影响。