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本公开涉及功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法。该功率金属氧化物半导体场效应晶体管包括:绝缘层;位于绝缘层的底部的第一导电类型掺杂层;位于第一导电类型掺杂层的底部的第二导电类型体;与绝缘层的底部相邻并且在其他区域中由绝缘膜覆盖的栅电极,该栅电极突出以穿透第二导电类型体;以及源电极,其包括位于绝缘层的顶部的第一区域和通过穿透绝缘层而与第一导电类型掺杂层接触的第二区域。
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