用于预测当光刻工艺进行时使用掩模获得的成像结果的方法与设备.pdf

本发明关于用于预测当光刻工艺进行时使用掩模而获得的成像结果的方法及设备,其中掩模包含待成像的掩模结构且掩模注定将在光刻工艺中在投射曝光装置中以预先确定的照明设定照明,用于曝光包含光刻胶的晶片。根据本发明的一个方面,根据本发明的方法包含以下步骤：使用传感器配置在掩模检查装置中测量在具有根据照明设定的照明光的照明的情况下针对掩模所获得的至少一个强度分布、经由此强度测量而在振幅方面以及在相位方面确定由照明光与掩模结构的相互作用而产生的电场、以及基于数学模拟(正向计算)估计当光刻工艺进行时在光刻胶中所获得的强度分布,其中所确定的电场在包含至少光刻胶的层系统中传播。