半导体器件及其制作方法.pdf

  1. 类别:专利
  2. 上传人:wuyuzegang
  3. 上传时间:2023/4/26 19:05:30
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简介:

本发明公开了一种半导体器件及其制作方法,本发明技术方案对半导体衬底的第二表面进行减薄处理后,对所述第二表面进行第一次化学机械研磨处理,这样,通过机械研磨结合化学研磨的方法,可以同时研磨去除半导体衬底、TSV结构的第一绝缘介质层以及导电柱,使得露出的导电柱和研磨后的第二表面齐平,各个导电柱的高度齐平,然后对研磨后的所述第二表面进行刻蚀,使得所述第二表面的高度小于所述导电柱的高度,在刻蚀后的所述第二表面形成第二绝缘介质层,所述第二绝缘介质层与所述导电柱齐平。应用本发明实施例提供的制作方法,避免了现有技术中导电柱露出高度不一致的问题。

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