半导体器件的制备方法及半导体器件.pdf

本申请公开了一种半导体器件的制备方法和半导体器件,所述方法包括：提供一衬底,该衬底上形成有至少一个浅槽隔离结构；在衬底的输入/输出N型有源区进行P阱离子注入；在衬底上依次生长栅氧化层以及多晶硅层；根据多晶硅层制备得到至少一个栅极；在输入/输出N型有源区进行NLDD离子注入,在衬底的低压P型有源区进行PLDD离子注入,NLDD离子注入的离子包括砷离子和磷离子；在栅极的周侧生长隔离侧壁；分别在N型有源区和P型有源区进行SD离子注入后,进行退火处理。本申请通过在输入/输出N型有源区进行NLDD离子注入时注入的离子为砷离子和磷离子,从而制备得到的半导体器件具有较小的衬底电流,进而提高了半导体器件的HCI可靠性。