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锤子
NMOS器件的制作方法及以其制作的半导体器件.pdf
- 类别：专利
- 上传人：wuyuzegang
- 上传时间：2023/4/26 19:11:32
- 文件大小：632K
- 下载次数：1
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简介：
本发明涉及NMOS器件的制作方法及以其制作的半导体器件,涉及半导体集成电路制造工艺,在NMOS器件的制作过程中,通过在多晶硅沉积之后,在多晶硅层顶部形成一层锗非晶层,可减小N型轻掺杂源漏注入工艺对多晶硅层的注入深度,因此可提高N型轻掺杂源漏注入工艺的能量到达到有效改善HCI效应的目的的范围内,而有效改善HCI效应,提高NMOS器件的性能,且其仅需要在对NMOS器件的栅极结构图形区域内的多晶硅层进行磷离子注入工艺之后,增加一道Ge注入即可,除此不增加任何步骤,且其与磷离子注入工艺共用一块掩膜版,生产成本增加极少。
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