一种半导体结构及其制备方法.pdf

本发明提供一种半导体结构及其制备方法,半导体结构的制备方法包括：提供晶圆组,晶圆组包括第一晶圆至第N晶圆,N为大于等于3的整数；在第k晶圆的正面的部分区域嵌入第k阻挡层,k为大于等于3且小于等于N的整数；在第一晶圆的背面的部分区域嵌入第一阻挡层；形成第k-2阻挡层之后,键合第k-2晶圆的正面和第k-1晶圆的背面,k-2-k-1＝1,k-2为大于等于3且小于等于N的整数；形成第一阻挡层之后,键合第一晶圆的背面和第二晶圆的正面；以第一阻挡层、以及第三阻挡层至第N阻挡层为掩膜,从第一晶圆的正面刻蚀第一晶圆至第N晶圆,以在第一晶圆至第N晶圆中形成多台阶凹槽。多台阶凹槽的底部平整,形貌良好,精度较高。