半导体器件的制作方法.pdf

  1. 类别:专利
  2. 上传人:wuyuzegang
  3. 上传时间:2023/4/26 19:35:56
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简介:

本申请公开了一种半导体器件的制作方法,包括:提供一衬底,衬底上形成有半导体器件,半导体器件之间形成有沟槽;在半导体器件表面覆盖填充物,填充物填充沟槽,填充物具有流动性,覆盖的填充物的上表面为平面;在半导体器件和填充物上覆盖光阻,对光阻的目标区域进行曝光,显影去除目标区域的光阻,使目标区域的填充物暴露;进行刻蚀,去除目标区域的目标结构;去除光阻和填充物。本申请通过在半导体器件的制作过程中,在对存在沟槽的图形进行光刻前,在半导体器件表面覆盖填充物,从而使得器件上方为平坦的平面,从而避免了由于沟槽存在梯度使得光刻后的光阻容易脱胶,提高了器件的良率。

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