半导体器件及其制备方法.pdf

本发明提供一种半导体器件的制备方法,包括：提供一其上形成有多个栅极结构和沟槽的衬底；形成阻挡层；采用选择性刻蚀工艺刻蚀所述沟槽侧壁上的部分所述阻挡层以使所述沟槽的开口呈倒八字型；以第一沉积速率形成第一层间介质层以及以第二沉积速率形成第二层间介质层。本发明还提供一种半导体器件。本申请通过采用选择性刻蚀工艺刻蚀沟槽侧壁上的部分阻挡层来改善沟槽的形貌,使得沟槽的开口呈倒八字型,从而减小沟槽的深宽比。进一步的,本申请通过按不同的沉积速率分两步分别在深宽比减小后的沟槽中沉积第一层间介质层和第二层间介质层,可以避免第一层间介质层和第二层间介质层在沟槽中出现空洞缺陷的情况,提高了器件的良率。