一种碳化硅单晶衬底、制备方法及半导体器件.pdf

本发明公开了一种碳化硅单晶衬底,包括第一表面和第二表面,所述第一表面包括钉扎区和制件区,所述钉扎区为人工设置的势阱,以将所述钉扎区周围区域的位错集中于所述钉扎区,所述第一表面上设置多个所述钉扎区；所述制件区用于制作半导体器件,所述制件区周围设置有所述钉扎区,以使得所述制件区中心区域的位错密度小于边缘区域。本发明提供的碳化硅单晶衬底,在制件区周围设置钉扎区,以将制件区上的位错集中在制件区边缘,从而使制件区中心区域的位错密度降低,并使用制件区中心区域来制作半导体器件的有效区域,即半导体器件上施加电压的区域,可以显著降低有效区域的位错密度,降低有效区域的失效概率,提高半导体器件的良品率。