半导体器件及其制作方法、功率开关器件和功率放大器件.pdf

本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及半导体紧急保护电路开关领域,具体涉及一种半导体器件及其制作方法、功率开关器件和功率放大器件：包含漏极、一侧和漏极欧姆接触的外延层、至少两组相对分离设置的与外延层的另一侧连接的第一空穴掺杂层、与第一空穴掺杂层暴露于半导体器件外部部分欧姆接触的栅极、与第一空穴掺杂层和外延层连接的第一电子掺杂层、第二电子掺杂层及源极；相邻的第一空穴掺杂层之间包含沟道区；第一电子掺杂层通过沟道区和外延层及第一空穴掺杂层连接。通过多次外延生长和离子注入,可以制备更窄和更短的沟道区,减少米勒电容影响,降低导通电阻和寄生参数,提升击穿电压；降低了器件尺寸和成本。