一种提高CZ法高阻半导体单晶轴向电阻率均一性的方法.pdf

本发明提供一种提高CZ法高阻半导体单晶轴向电阻率均一性的方法,在单晶拉制过程中,通入掺杂气体,进行气相掺杂,通过控制掺杂气体的掺杂效率和勾形磁场的抑制率,对单晶轴向电阻率进行控制,包括以下步骤：确定掺杂气体的掺杂效率：根据拉制第一颗单晶时的掺杂气体的浓度和单晶电阻率计算掺杂效率；确定勾形磁场的抑制率：采用与拉制第一颗单晶相同的掺杂工艺拉制第二颗单晶,根据第二颗单晶的电阻率和第一颗单晶的电阻率计算勾形磁场的抑制率；根据掺杂气体的掺杂效率和勾形磁场的抑制率进行单晶的拉制。本发明的有益效果是对硅溶液的对流进行抑制,将单晶的电阻率控制在一个相对较小的电阻区域,单晶的轴向电阻率一致性好。