用于封装的转接板及其制备方法、半导体封装结构.pdf

本发明提供一种用于封装的转接板及其制备方法、半导体封装结构,该制备方法包括：提供包括支撑基底、分离层及硅衬底的叠层结构,硅衬底中形成有TSV孔,TSV孔中有铜导电柱,铜导电柱与TSV孔侧壁之间有扩散阻挡层；研磨硅衬底的上表面至TSV孔完全露出；采用化学机械抛光工艺抛光叠层结构的上表面；采用湿法刻蚀工艺刻蚀铜导电柱预设深度,形成刻蚀凹槽；于刻蚀凹槽中填充满保护层；刻蚀硅衬底的上表面至裸露出铜导电柱；采用化学气相沉积工艺于硅衬底的上表面形成绝缘层。通过湿法刻蚀形成刻蚀凹槽并结合填充于其中的保护层,可有效避免整个转接板制备过程中所有铜导电柱的铜粒子扩散至硅衬底的可能性,有效提高了封装结构的性能。