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本申请公开了一种半导体装置及其制备方法、氮化镓芯片的封装结构,半导体装置包括:导热板,所述导热板的一侧表面具有安装凹部;半导体器件,所述半导体器件设于所述安装凹部内;电气载板,所述电气载板设于所述导热板的所述一侧表面,所述半导体器件的电极焊盘与所述电气载板的引线电气连接;其中,所述电气载板包括与所述半导体器件正对的覆盖部,所述覆盖部与所述半导体器件之间设有第一导热件。根据本申请实施例的半导体装置,通过设置安装凹部,并利用覆盖部覆盖半导体器件的有源区,使半导体器件得到保护,并且半导体器件的散热效率较高,提高了半导体器件的可靠性。
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