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锤子
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本申请提供了一种半导体结构及其制作方法,半导体结构包括:自下而上分布的衬底、异质结、P型离子掺杂层以及栅极绝缘层,其中,异质结包括源极区域、漏极区域以及栅极区域,栅极区域上的P型离子掺杂层包括激活区与非激活区,激活区中的P型掺杂离子被激活,非激活区中的P型掺杂离子被钝化,非激活区至少包括两个区域且在垂直于源极区域与漏极区域的连线方向上间隔分布;栅极绝缘层位于非激活区上,用于暴露激活区。利用栅极绝缘层作为激活P型掺杂离子时的掩膜层,避免对P型离子掺杂层进行刻蚀,从而避免刻蚀造成异质结的损失。此外,非激活区间隔分布可隔断激活区,增加耗尽区的宽度,能改变栅漏之间的电场分布,提高半导体结构的击穿电压。
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