半导体结构及其形成方法.pdf

一种半导体结构及其形成方法,其中,半导体结构包括：衬底；位于衬底内的第一阱区,第一阱区的导电类型与衬底的导电类型相反；位于第一阱区内的源极区,源极区的导电类型与第一阱区的导电类型相反；第一掺杂层,第一掺杂层位于源极区与第一阱区之间、位于衬底与第一阱区之间、或者位于源极区与第一阱区之间以及衬底与第一阱区之间,第一掺杂层的导电类型与第一阱区的导电类型相同,且第一掺杂层的离子掺杂浓度大于第一阱区内的离子掺杂浓度；贯穿第一阱区的栅极结构,且栅极结构延伸入衬底内,源极区以及第一掺杂层位于栅极结构周围。所述半导体结构及其形成方法减小了沟槽栅的漏电现象,提升了器件性能。