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本发明公开了一种化合物半导体外延片霍尔样品制备装置,涉及化合物半导体外延片霍尔测试领域,所述化合物半导体外延片霍尔样品制备装置包括加热平台、定位件和按压件,加热平台包括平台本体、样品定位槽、加热元件和测温元件,样品定位槽的形状与霍尔样品的形状相同,定位件与平台本体之间设置有导向件,定位件上开设有铟球容纳孔,当定位件向下滑动到与平台本体接触时,铟球容纳孔的下端开口朝向样品定位槽内放置的霍尔样品的铟球固定位置,按压件上安装有压平杆,当按压件向下运动时,能够带动压平杆的下端挤压在放入铟球容纳孔中的铟球。所述化合物半导体外延片霍尔样品制备装置操作简单,并且可以确保制作的霍尔样品的一致性。
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