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本实用新型涉及绝缘栅半导体装置结构。本实用新型所要解决的技术问题之一是减小半导体装置的比导通电阻。绝缘栅半导体设备结构包括:半导体材料的区域,其包括第一导电类型的半导体层并且具有主要表面;第二导电类型的体区,其形成在从所述主要表面延伸的所述半导体层中;以及沟槽结构,其形成在从邻近所述体区的所述主要表面延伸的所述半导体层中,并且其中所述沟槽结构包括:绝缘栅极;以及屏蔽电极。本实用新型能够用于半导体装置。本实用新型的有利技术效果之一是半导体装置的比导通电阻能够减小。
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